第一节测试 MOS管的原理与阈值电压【含答案】 数字超大规模集成电路设计

(1)多选题

下面工艺参数变化会使得NMOS硅栅晶体管的阈值电压升高的有

A  多晶硅和衬底半导体材料之间的功函数差的绝对值增大

B  栅极氧化层厚度变薄(单位面积的栅氧化层电容增大)

C  氧化层中的表面电荷(正电荷)减少

D  在沟道区人工注入p型杂质离子使得单位面积的电荷密度升高

(2)填空题

增强型PMOS晶体管的阈值电压__[填空1]_0,发生强反型时的VGS应该__[填空2]_0。(填写>或<号)

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